Flash pamětím zvoní hrana
Současné SSD paměti jsou vesměs založeny na technologii NAND čipů, které uchovávají data pomocí uloženého elektrického náboje. V podstatě se jedná o velkou spoustu tranzistorů typu NAND (nebo NOR), které lze nastavit do stavu 1/0 a tento stav si tranzistory uchovávají po dlouhou dobu. Více o flash pamětech a NAND čipech naleznete zde.
RRAM je zcela nová technologie – Resistive RAM. Pro uchování dat nepoužívá elektrický náboj, ale mění elektrický odpor jednotlivých prvků paměťového modulu. Oproti flash paměti tak umožňuje provoz s pouhým zlomkem energie, místo 5 let slibuje trvanlivost uložení dat více jak 20 let a především dosahuje vysoké hustoty uložení dat. Více o RRAM zde.
Společnost Crossbar, což je startup založený v USA nyní slibuje uvést na trh zcela nový RRAM čip, který díky možnosti 3D uspořádání paměťových prvků bude umožňovat uložit řádově terabyty dat na ploše o velikosti poštovní známky. Kromě všech výše uvedených výhod by tento čip měl mít i 20 krát vyšší rychlost čtení a zápisu oproti flash paměti.
Společnost Crossbar podle vyjádření svého CEO George Minassiana dovedla technologii RRAM z laboratorního stolu do tovární výroby. Takže se brzo můžeme těšit na mobily s ohromnou pamětí, na foťáky, kterým nikdy nedojde místo pro ukládání fotek a na kapesní nerozbitné disky s ohromnou kapacitou, kam si budeme moci zálohovat svoje data. Bohužel ale CEO neuvedl přesný termín, kdy se tento čip začne prodávat, řekl jen, že to bude už brzy. Tak uvidíme, jestli opravdu stojíme na prahu možná revoluce, ale určitě výrazného skoku v oblasti mobilních pamětí a SSD disků.
580 TB: Nová magnetická páska pro ukládání dat trhá rekordy
Autor: Stanislav Mihulka (21.12.2020)
Úvod do problematiky štandardných kvantových počítačov
Autor: Marián Mižik (02.08.2016)
Do nejmenšího harddisku světa se zapisuje atom po atomu
Autor: Stanislav Mihulka (21.07.2016)
Věčné 5D optické disky mohou zaznamenat celou historii lidstva
Autor: Stanislav Mihulka (17.02.2016)
Průlom v technologii kvantového harddisku
Autor: Stanislav Mihulka (10.01.2015)
Diskuze: